设计提高了两倍，同时把N阱和P阱之间的距离做到工艺允许的最小值以上，确保寄生SCR结构的触发阈值高于实际工作电压。”
“另外我们在关键的电源线路上增加了钳位保护结构，把浪涌电压泄放通道的响应时间压缩到了纳秒级别。”
“经过三百片次的可靠性测试，闩锁触发率低于十万分之一，完全可以满足工业级应用的要求。”
吴专家听完，沉默了两三秒，然后喃喃地开口，如梦初醒。
“原来能这么做……在版图上做自举，用阱接触密度去抑制闩锁效应，而且把栅极电阻和温度场控制做到这种精度。”
“这个思路太巧妙了，真的是太不可思议了！”
孙专家在一旁也连连点头，恍然大悟。
“原来是这样。”
“我们以前的方向都错了。”
“以前研究CMOS老是盯着材料本身去找出路，总想着改掺杂改晶向，根本没想到在电路和版图层面还有这么多文章可以做。”
“钱学明同志，你们真是把系统级优化做到了极致！”
张停站在旁边，看着两位部里请来的资深专家像学生听课一样连连点头感叹，心里一根弦彻底松了下来。
他不需要再问任何技术问题以及论证真实性。
这一会儿，专家的反应本身就是最好的证明。
他转头看向林默，颇有一些激动。
“林默同志，钱学明同志，你们真的很不错。”
“不仅大胆采用了新型工艺路线，而且踏踏实实地把遇到的每一个困难都攻克了。”
“你们给国家的信息产业发展做出了巨大的贡献！”
张停伸出手来，在林默的肩膀上拍了两下：
“几天前我还在想，无锡742厂的东芝引进线是国内第一条，也是唯一一条有望赶上国际水平的芯片产线。”
“没想到，几天后，在这川西山坳里，你们不但做出来了，而且走了一条完全不同的路，还走通了。”
“真是给了我一个大大的惊喜啊。”
“部长过奖了！”
林默笑呵呵的谦虚道。
张停忽然想起了什么，认真地看向林默，一字一句的问道。
“林默同志，你这套CMOS工艺和配套的标准化文件，有没有可能在其他地方
本章未完，请点击下一页继续阅读！