应用电磁学实验室，二楼会议室。
所有人都围着会议台坐着。
右侧是代表新创微电子前来的李嘉鑫、王长江、杜诚三人组，还有理学部行政派来的助理周奇。
左侧则是薛坤、朱炳坤以及陈帅，后面还有三个副研究员以及一个博士生。
数一下，正好是十个人。
张明浩站前方的讲台上，他操作手机连上过了会议室的电脑，把手机里的图片进行了随后投屏。
壁幕上顿时出现一大堆复杂的数学内容。
张明浩站在一侧指着壁幕，面带轻笑的开口介绍道，“大家请看，这就是‘半导体衬底原子、电子和器件特性的关联模型。”
会议室的人顿时认真起来。
整个模型都是复杂的数学内容，一眼看过去感觉眼花缭乱，但专业的人仔细研究还是能看明白的。
复杂的主要是参数表达。
每一个参数都对应的取值表达，就让整体看起来非常复杂。
实际上，核心是个高阶线性偏微分方程组。
张明浩展示了一下模型，就开始最上面的参数开始讲起。
“这一部分是原子排列、电子活跃性涉及到的分析，也是最重要计算的数值。”
“原子排列，微观角度来讲，会影响到所生成器件的排列，电子层很重要，电子活跃性决定了……”
“半导体器件制造，涉及了很多的场，而电磁特性……”
从衬底微观表达到原始数值计算，再到关联器件特性的参数介绍。
张明浩讲的很详细，每一个参数的含义都认真介绍，把关联和推导表达数值的方法说的明明白白。
他一讲就是四十分钟，会议室每个人都听的很认真。
李嘉鑫三人做过模型计算，但也只是按照资料上的方法，对于模型各个参数的理解不是那么透彻。
现在一听，全都明白过来。
陈帅、朱炳坤等人的反应更大一些，他们刚才听‘模型’、‘模型’，完全不知道是什么东西。
现在知道了。
半导体衬底和器件特性关联的数学模型！
陈帅惊讶的对朱炳坤说道，“半导体衬底和器件关联在一起？”
“现在参数范围还比较大，但也能通过模型来粗略计算出所需特定半导体衬底的大致选择方向吧？”
当然，意义也不大。
参数结果涵盖范围波动大
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