自从星源科技与华科协会下属的光电所，联手研发出了‘磁约束放电等离子体光源’（即MDP）技术后，便开始着手攻克光刻机的第二大技术壁垒——光学系统。
毕竟，单是‘造出光’还不行，还得‘用好这束光’，才能完成晶圆曝光，进而实现芯片的生产制造。
可让陈延森顿感无奈的是，国内EUV光源激发方式的主流研发方向，基本以激光产生等离子体、放电等离子体或者激光诱导放电等离子体为主。
而星源科技光学部绝大多数工程师的技能和项目经验，都与研发需求不匹配。
所以在研发配套光学系统时，进度极为缓慢。
要知道，EUV光几乎会被所有物质吸收，因此无法使用传统的玻璃透镜，整个光路必须在真空环境中使用反射式光学系统。
收集镜、照明系统、投影物镜系统、掩膜版和掩膜台都得设计配套的技术方案。
MDP-EUV光源技术确实走出了一条独特的新路，但这种创新并非没有代价。
一切障碍，都要自己去扫平。
陈延森在获悉光学部的研发进度后，立马就绝望了。
他心里清楚，若不给这帮人指条明路，恐怕五年、十年，都没法往前迈出一步。
不得不说，他高估了林南团队的水平。
他没想到，这么简单的配套技术方案，林南等人却在正确的路口边缘，足足蹭了四五十天，却无丝毫进展。
于是，陈延森在开发出脉思（Mass）V1.0后，又马不停蹄地设计出了“多壳层掠入射椭圆收集镜系统”。
这玩意本质上是一套精密的多层膜镜子，可以高效捕获EUV光源，并将其初步聚焦引导至照明系统里。
难点主要有两个：收集效率和抗损伤能力。
前者是因为EUV光线是向四面八方发散的，若想提升收集效率，就得设计复杂的多镜拼接结构，同时保证每片镜子的角度校准精度都要达到微米级。
然而，任何角度上的偏差都会导致光线漏失，从而影响到收集效率。
后者是因为等离子光源被激发后，会产生极高的温度，这就需要超强的抗损伤能力。
收集效率要求多层膜具备“薄、匀、纯、无遮挡”等特性，以最大化反射率和角度适配性。
而抗损伤能力要求
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